红色发光二极管的工作电压最低，约1.6-1.7V；其次是普绿色、黄色，1.7-1.8V；白色1.8-1.9V；橙色1.8V-2.4V；蓝、白、翠绿电压范围：2.8V-3.5V。发光二极管的反向耐压只有借助兆欧表和万能表测量。将二极管
红黄一般是1.8至2.2 蓝绿一般是3.0至3.6 普通的发光二极管正偏压降红色为1.6V，黄色为1.4V左右，蓝 白 为至少2.5V 。工作电流5－10mA左右 超亮发光二极管主要有三种颜色，然而三种发光二极管的压降都不相同，具体
就是98伏。vf是正向电压，指的是额定电流下对应的电压。V代表电压，F代表正向。故：VF代表正向电压，一般小功率led红、黄、橙、黄绿的vf是1.8-2.4v，纯绿、蓝、白的vf是3.0-3.6v。额定电流是指用电设备在额定电压
红黄一般是1.8至2.2 蓝绿一般是3.0至3.6 电流小功率的都尽量控制在20MA 做指示用的LED都用10毫安以下比较好，一般用到5毫安就比较亮了。除了蓝色的LED正向电压是3-3.4伏，其他色的都是1.8-2伏。普通的发光二极
红、蓝、黄、绿、白LED的正向导通电压是多少? LED发光二极管有着工作电流很小，工作电压很低，可靠性高，寿命长，抗冲击和抗震性能好。可以通过调制通过的电流强弱可以方便地调制发光的强弱等传统照明设备所不具有的优点，因此可以得到广泛的运用。土巴兔在线免费为大家提供“
红/黄色用的LED芯片驱动电压比较低，这个是关系到芯片制作材料。
与小白炽灯泡和氖灯相比，发光二极管的特点是：工作电压很低（有的仅一点几伏）；工作电流很小（有的仅零点几毫安即可发光）；抗冲击和抗震性能好，可靠性高，寿命长；通过调制通过的电流强弱可以方便地调制发光的强弱。由于
当给LED的PN结加上正向电压时，产生外电场作用于内建电场。当PN结势垒被克服时，电子便被不断注入，部分电子与空穴复合，能级从导带跌落到价带，放出一个光子，那么光子的能量就等于禁带宽度Eg，从而光子的频率就是：ν=Eg/
为什么LED芯片红光黄光的电压比蓝光绿光要低 4、大功率led灯珠烧掉的原因：01、灯丝变短说明灯已经被大电流烧掉了，相当于断路了。02、大功率1W的驱动电流在350ma左右，工作电压在3.2-3.6V之间。03、一般三颗1W灯的铝基板都是12V左右驱动的。选择技巧 1、亮度：
led灯换坏灯珠后供电不足原因如下：一、LED灯微亮故障，不外乎三种源因，第一种电源电压不足，比如零线接触不良，使电压降低，第二种原因，驱动电源故障，不能正常输出供灯珠正常使用的电压和电流。第三种就是LED灯珠损坏
家用的红黄光可能功率太小了，功率比较小的有红色，黄色，橙色的一般是2V左右的额定电压，额定电流是20MA。白光，蓝色，绿色额定电压是3V左右，电流也是20MA大功率的一般指1W，3W的LED灯。最大功率现在有集成芯片的几十W都
与小白炽灯泡和氖灯相比，发光二极管的特点是：工作电压很低（有的仅一点几伏）；工作电流很小（有的仅零点几毫安即可发光）；抗冲击和抗震性能好，可靠性高，寿命长；通过调制通过的电流强弱可以方便地调制发光的强弱。由于
综上所述，把因果关系总结一下：发光色接近紫区→光波长短→光子频率高→光子能量大→电子跃迁能级要大→材料禁带宽度要大→PN结势垒高→PN结开启电压高→正向电压高；反过来，发光色接近红区→光波长长→……（略，反过来即
红/黄色用的LED芯片驱动电压比较低，这个是关系到芯片制作材料。
为什么红黄色LED驱动电压较低 直观点的是显色区域的不同，波段来说蓝光是在460-470纳米之间，绿光一般在520-540纳米之间，红光一般在610-620之间，黄光一般在570-580之间， 另外蓝绿光的电压一般都是在3.2-3.6V之间 红黄光的电压一般在1.9-2.
因为红光LED灯的电压只有2V左右，而蓝光，绿光LED的电压在3V左右。因此红灯所使用的限流电阻要比绿灯与蓝灯大，电流和亮度才能平衡，限流电阻阻值要根据供电电压调整，调试方法：先将三个灯的电流调到一样，然后用额定电压同时
常用的是发红光、绿光或黄光的二极管。发光二极管的反向击穿电压大于5伏。与白炽灯泡和氖灯相比，发光二极管的特点是：工作电压很低（有的仅一点几伏）；工作电流很小（有的仅零点几毫安即可发光）；抗冲击和抗震性能好，可靠
芯片的原因。绿光vf值会低是因为芯片的原因，是由于芯片本身有问题或者在封装过程装中导致芯片受损，vf指的就是正向电压，指的是额定电流下对应的电压，一般LED白光蓝光绿光通常都是3V，黄光红光橙光一般是2v。
红黄光2.2v左右，高的2.8v低的1.8v。白光蓝光（白光芯片和蓝光芯片是一样的）3.3v左右，低的2.8v高的3.8v。经验数据，这些都是典型值，同一个LED随着正向电流不同还会有零点几伏的变化。
不同的半导体材料中电子和空穴所处的能量状态不同。当电子和空穴复合时释放出的能量多少不同，释放出的能量越多，则发出的光的波长越短。常用的是发红光、绿光或黄光的二极管。发光二极管的反向击穿电压约5伏。它的正向伏安
当给LED的PN结加上正向电压时，产生外电场作用于内建电场。当PN结势垒被克服时，电子便被不断注入，部分电子与空穴复合，能级从导带跌落到价带，放出一个光子，那么光子的能量就等于禁带宽度Eg，从而光子的频率就是：ν=Eg/
为什么LED芯片红光和黄光的电压比蓝光和绿光要低? LED发出不同的光色需要在其PN结中掺入不同的元素。因为这些元素的原因，使得其PN结的开启电压发生了变化。同时，因为元素稀有的缘故。蓝色和绿色的LED要比黄色和红色的要贵。因为叶子之所以是绿色，是因为它反射绿光，所以，当你用绿光照射叶子的时候，光能量大部分都被反射了。
而其他颜色的光则会被叶子吸收，进行光合作用。因为红色LED是2V左右，而绿色LED是3V左右，所以，并在一起时，红色LED需加电阻不会，供压不足会偏蓝，相对红绿减弱
这个跟灯没关系，供压经过恒流驱动和行管
这两者电压不足，影响到灯这个问题说来话长，需要一定的半导体物理知识和器件制造工艺知识（可以直接看后面的总结）。
LED的正向电压VF 是指额定正向电流下器件两端的电压降，这个值与发光二极管PN结的静态势垒高度呈正相关，同时它也与P-N结的体电阻、以及欧姆接触电阻呈正相关。在同一种材料时，过大的VF反映了电极制作时接触电阻过大。在这些因素中，PN结静态势垒高度的影响是主要的。
PN结静态势垒高度与材料的掺杂情况和发光区（复合区）材料的禁带宽度呈正相关。在同质结中，静态势垒高度一般接近禁带宽度（重掺杂时，静态势垒高度会大于禁带宽度；轻掺杂时会小于禁带宽度）。
在半导体能带结构中，导带最低点与价带最高点之间的能量差称为禁带宽度，以Eg表示(单位为电子伏特eV)。
在PN结中，由于非平衡载流子的扩散，产生自建电场。自建电场阻止了载流子的扩散，达到动态平衡时，形成静态势垒。
光的频率决定了光的颜色，红、黄、绿、蓝、紫各色的频率依次增高。光的频率也决定了光子的能量：
E=h*ν 式中h是普朗克常量，ν是光的频率。
反过来，若以能量E发出一个光子，则这个光子的频率：ν=E/h，
当给LED的PN结加上正向电压时，产生外电场作用于内建电场。当PN结势垒被克服时，电子便被不断注入，部分电子与空穴复合，能级从导带跌落到价带，放出一个光子，那么光子的能量就等于禁带宽度Eg，从而光子的频率就是：
ν=Eg/h，或波长是：
λ= h*c/Eg 式中：c—光速； Eg—半导体的禁带宽度。
要发出不同颜色的光，就要使用不同禁带宽度的半导体材料。光色越接近紫色，禁带宽度就得越大。
综上所述，把因果关系总结一下：发光色接近紫区→光波长短→光子频率高→光子能量大→电子跃迁能级要大→材料禁带宽度要大→PN结势垒高→PN结开启电压高→正向电压高；反过来，发光色接近红区→光波长长→……（略，反过来即是）。
以砷化镓红外LED为例，砷化镓的禁带宽度为1.424ev，计算得发光波长约0.871um；忽略各环节的欧姆接触产生的压降，假设PN结势垒高度等于禁带宽度（受掺杂浓度影响），则开启电压为：VF=Eg/q=1.424(V)。
最后说明一下，即便同样是红光LED，由于所用材料和工艺的不同，正向电压也会略有不同。因为叶子之所以是绿色，是因为它反射绿光，所以，当你用绿光照射叶子的时候，光能量大部分都被反射了。
而其他颜色的光则会被叶子吸收，进行光合作用。